HUF75307T3ST |
RFQ for HUF75307T3ST Required Field |
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| Technical/Catalog Information | HUF75307T3ST |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| Power - Max | 1.1W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 20V |
| Package / Case | SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | HUF75307T3ST HUF75307T3ST |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| HUF75307T3ST | - | SOT-223 | 08+ |
This N-Channel power MOSFET is manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
Features |
| • 2.6A, 55V• Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.090• Diode Exhibits Both High Speed and Soft Recovery• Temperature Compensating PSPICE™ Model• Thermal Impedance SPICE Model• Peak Current vs Pulse Width Curve• UIS Rating Curve• Related Literature- TB334, "Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards" |
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UNITS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain to Source Voltage (Note 1) |
VDSS |
55 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain to Gate Voltage (RGS = 20kW) (Note 1) |
VDGR |
55 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate to Source Voltage |
VGS |
±20 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current Continuous (Figure 2).(Note 2). |
ID |
2.6 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current Pulsed Drain Current |
IDM |
Figure 5 |
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| Pulsed Avalanche Rating |
EAS |
Figures 6, 14, 15 |
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| Power Dissipation |
PD |
1.1 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Derate Above 25 |
9.08 |
W/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating and Storage Temperature |
TJ,TSTG |
-55 to 150 |
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Maximum Temper
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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